IPD068N10N3G ( Infineon) 明佳達電子 MOSFET オリジナル 鉛フリー

基本情報         

単価(US$)  お問い合わせ

型    番：IPD068N10N3G                  カテゴリー：MOSFET

メーカー： Infineon

鉛フリーステータス / RoHS ステータス: 鉛フリー / RoHS対応               

状　況：在庫　新品　オリジナル

詳細

メーカ:   Infineon  

製品カテゴリー:   MOSFET  

RoHS:       RoHS対応品 

ブランド:        Infineon Technologies     

Id - 連続ドレイン電流:         90 A

Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:         100 V       

Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:       6.8 mOhms     

トランジスタ極性:        N-Channel       

Vgs - ゲート - ソース間破壊電圧:     20 V

最高動作温度:        + 175 C    

Pd - 電力損失:        150 W      

取り付け様式:        SMD/SMT        

パッケージ/ケース:      TO-252-3

パッケージ化:        Reel

チャネルモード:   Enhancement 

構成:        Single       

下降時間:        9 ns 

最低動作温度:        - 55 C       

上昇時間:        37 ns        

シリーズ:        OptiMOS 3       

工場パックの数量:        2500        

トレードネーム:   OptiMOS 

標準電源切断遅延時間:        37 ns        

別の部品番号:        IPD068N10N3GBTMA1 SP000469892

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